吕仁庆,李俊玲,刘晨光.深度脱硫噻吩衍生物的电子和空间性质理论研究[J].分子催化,2004,(3):229-233 |
深度脱硫噻吩衍生物的电子和空间性质理论研究 |
A Theoretical Study on Effect of Electronic and Steric Structures of Thiophene Derivatives for Their Deep Desulfurization |
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DOI: |
中文关键词: 噻吩衍生物 深度脱硫 密度泛函理论 基组 |
英文关键词:Thiophene derivatives Deep desulfurization Density
functional theory Basis set |
基金项目: |
吕仁庆 李俊玲 刘晨光 |
石油大学(华东) 化学化工学院,石油大学(华东) 化学化工学院,石油大学(华东) 化学化工学院 山东东营257061,山东东营257061,山东东营257061 |
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中文摘要: |
我们采用从头计算的密度泛函理论方法在B3LYP水平上,其中H原子采用3-21G基组,C原子采用6-31G(d)基组,S原子采用6-31G (d)基组对2-甲基噻吩,苯并噻吩,2-甲基苯并噻吩,二苯并噻吩,4-甲基-二苯并噻吩,4,6-二甲基二苯并噻吩等噻吩衍生物进行了几何优化.研究结果表明电子性质可影响噻吩衍生物的加氢脱硫活性,但空间因素对噻吩衍生物的加氢脱硫活性影响很大,从而证实了提高噻吩衍生物加氢脱硫活性方案的可行性. |
英文摘要: |
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